低功耗单片低噪声放大器芯片

作者：周守利; 俞俊学; 陈伟; 熊德平

来源：浙江工业大学学报, 2016, 44(06): 624-627.

DOI：10.3969/j.issn.1006-4303.2016.06.006

• 低噪声放大器
• 电流复用
• 低功耗
• 有源偏置
• 鲁棒性

基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动.供电电压为5V的条件下,芯片的工作带宽为19~24GHz,增益和噪声系数分别为(24.7±0.2),(1.4±0.1)dB,电路总电流仅为5mA.芯片尺寸为2mm×1mm.与其他相同工作频率、使用传统技术的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势.

• 出版日期2016
• 单位浙江工业大学; 航天学院; 广东工业大学; 浙江大学