蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展

作者：管云芳; 高芳亮; 李国强

来源：半导体光电, 2013, 34(02): 180-185.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2013.02.003

• 氮化铟
• 单晶薄膜
• MOCVD
• RF-MBE
• 溅射技术
• HVPE InN
• single crystalline films
• sputtering
• HVPE

通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。

• 出版日期2013
• 单位发光材料与器件国家重点实验室; 华南理工大学; 材料科学与工程学院