纳米晶Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜的外延生长与介电特性

作者：杨中服; 唐新桂

来源：广东工业大学学报, 2008, (01): 11-14.

• 锆钛酸钡薄膜
• 脉冲激光沉积
• 外延生长
• 介电调谐特性 BZT thin film
• pulsed laser deposition
• epitaxially growth
• dielectric tunability

用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3∶ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90 nm,表面均方根粗糙度为4.3 nm,说明薄膜表面平整.在室温、100 kHz和500 kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%.

• 出版日期2008
• 单位广东工业大学