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摘要
采用AZ4620紫外光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备了高深宽比MESM微结构。研究曝光、显影关键工艺因素对图形微结构的影响,解决匀胶、烘培等关键工艺问题,优化了AZ4620胶光刻工艺,成功制作出了近30μm厚的AZ4620光刻胶微结构图形,并通过电铸铜得到了具有垂直侧壁和高深宽比的精细镀铜MESM微结构。
- 出版日期2017
- 单位中国电子科技集团公司第四十一研究所
采用AZ4620紫外光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备了高深宽比MESM微结构。研究曝光、显影关键工艺因素对图形微结构的影响,解决匀胶、烘培等关键工艺问题,优化了AZ4620胶光刻工艺,成功制作出了近30μm厚的AZ4620光刻胶微结构图形,并通过电铸铜得到了具有垂直侧壁和高深宽比的精细镀铜MESM微结构。
