ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤

作者：石晓峰; 罗宏伟; 李斌

来源：电子元件与材料, 2009, (09): 20-23.

• n阱扩散电阻
• 静电放电
• 潜在损伤 n-well diffused resistor
• electrostatic discharge(ESD)
• latent damage

电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在发生初次瞬态击穿(瞬态击穿电压79.0V,瞬态击穿电流1.97A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。

• 出版日期2009
• 单位华南理工大学; 工业和信息化部电子第五研究所