摘要

本发明公开了一种双层氧化物薄膜晶体管及其制备方法,本发明包括基板、栅极、绝缘层、第一层氧化物层、第二层氧化物层、源极和漏极;从上到下依次是第二层氧化物层、第一层氧化物层、绝缘层、栅极、基板,绝缘层覆盖在栅极之上,源极和漏极分别覆盖在第二层氧化物层的两端并且相互间隔。第一层氧化物层和第二层氧化物层通过溅射的方法制备,并且在溅射过程中使用同一个靶材,通过控制氧气与氩气的流量来控制载流子浓度,其中第一层氧化物层的载流子浓度小于1016cm-3;第二层氧化物层的载流子浓度大于1017cm-3。这种结构的薄膜晶体管能有效降低关态电流,提高电流的开关比,提高器件稳定性。