摘要

通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的预相变应变、磁致伸缩和磁化强度测量 ,系统研究了近正配分比Ni50 5Mn2 4 5Ga2 5单晶的预马氏体相变特性 .在自由样品中观察到预马氏体相变应变 .在预相变点 ,沿 [0 10 ]方向施加大小约为 80kA m的磁场 ,在晶体母相的 [0 0 1]方向上获得了高达 5 0 5ppm的磁致伸缩 ,该值是相同条件下晶体母相磁致伸缩量的 5倍多 .同时 ,报道了不同方向磁场对预相变应变干预的结果 .利用软模凝结的概念和依据单晶生长的特点 ,分析了预相变应变产生的机理 .而磁场干预预相变应变的机理是磁场增大的磁弹耦合导致的晶格形变与材料内禀形变的竞争 ....