Fe_3O_4(100)/STO(100)薄膜的制备及磁输运特性研究

作者：黄思俞; 王宗篪

来源：三明学院学报, 2013, (04): 34-38.

DOI：10.14098/j.cn35-1288/z.2013.04.003

• Fe3O4薄膜
• 磁电阻
• 霍尔效应
• 磁滞回线 Fe3O4film
• magnetoresistance
• hall effect
• magnetic hysteresis

采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO(100)基底上制备了Fe3O4(100)薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度(约120 K)时磁电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中载流子浓度随着温度的降低而减小,ln(n)与1/T基本呈线性关系,符合半导体热激活模型,迁移率随着温度的降低而减小,说明在薄膜内存在大量电离杂质中心。薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场,说明薄膜中APBs密度较低。

• 出版日期2013
• 单位三明学院