凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应(英文)

作者：刘果果; 黄俊; 魏珂; 刘新宇; 和致经

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (12): 2326-2330.

• GaN
• 干法刻蚀
• 栅漏电
• 退火
• N空位 GaN
• dry etching
• gate leakage
• annealing
• N vacancy

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低.介绍了一种AlGaN/GaNHEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃,N2氛围退火10min.退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.

• 出版日期2008
• 单位中国科学院微电子研究所