高浓度硼扩散硅片CMP工艺改进技术

作者：谭刚; 吴嘉丽

来源：机电工程技术, 2010, (10): 60-61+79+109.

• 单晶硅
• 化学机械抛光
• 平坦化
• 抛光液 boron-diffusion silicon
• CMP
• planarization
• polishing solution

"叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,采用原有CMP工艺很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,通过改进双面粘片工艺,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,获得表面无划道、无麻坑、无桔皮的高浓度硼扩散硅片,表面粗糙度20A,达到"叉指式微加速度计"工艺用片指标。

• 出版日期2010
• 单位中国工程物理研究院电子工程研究所