1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计

作者：姚飞; 成步文

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (10): 1291-1295.

• RF电路
• 低噪声放大器
• CMOS
• 螺旋电感 RF
• LNA
• CMOS
• spiral inductor

从低噪声放大器 (L NA)的设计原理出发 ,提出并设计了一种工作于 1GHz的实用 L NA.电路采用共源 -共栅的单端结构 ,用 HSPICE软件对电路进行分析和优化 .模拟过程中选用的器件采用 TSMC0 .5 μm CMOS工艺实现 .模拟结果表明所设计的 L NA功耗小于 15 m W,增益大于 10 d B,噪声系数为 1.87d B,IIP3大于 10 d Bm,输入反射小于 - 5 0 d B.可用于 1GHz频段无线接收机的前端

• 出版日期2004
• 单位中国科学院半导体研究所