碳化硅半导体技术及产业发展现状

作者：刘兴昉; 陈宇

来源：新材料产业, 2015, (10): 12-19.

DOI：10.3969/j.issn.1008-892X.2015.10.004

• 碳化硅
• 功率器件
• Si
• MOSFET
• 外延生长
• 晶体生长
• 电子技术
• 半导体技术
• 耐压层
• 台阶流
• 衬底材料
• 外延层
• 产业发展现状

<正>碳化硅半导体(这里指4H-Si C)是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高(比硅高3倍)、与Ga N晶格失配小(4%)等优势,非常适合用作新一代发光二极管(LED)衬底材料[1]、大功率电力电子材料[2]。采用碳化硅作衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。此外,碳化硅除了用作LED衬底,它还可以制造高耐压、大功率电力电子器件如肖特基二极

• 出版日期2015
• 单位中国科学院半导体研究所