SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一。提出了两种SRAM读出电路的加固结构,分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比。两种读出结构的SRAM均有较好的抗单粒子能力,但相比较单模双互锁结构的SRAM,双模双互锁读出结构的SRAM读出时间更短。
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