宽长比对CMOS反相器延迟时间影响的分析

作者：张照锋; 董海青

来源：电子测试, 2019, (17): 46-47.

DOI：10.16520/j.cnki.1000-8519.2019.17.016

• 宽长比
• 反相器
• 延迟时间

延迟时间是集成电路中的重要参数,特别是在高速高频集成电路中,本文主要研究CMOS器件宽长比对基本单元反相器传输延迟时间的影响,通过改变MOS晶体管的宽长比,来分析MOS晶体管沟道宽度对延迟时间的具体影响,从而为后续高速集成电路基本单元的设计打下基础。

• 出版日期2019
• 单位南京信息职业技术学院