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An Explanation of Efficiency Droop in InGaN-based Light Emitting Diodes: Saturated Radiative Recombination Rate at Randomly Distributed In-Rich Active Areas (vol 58, pg 503, 2011)
作者:Shim Jong In
*
; Kim Hyunsung; Shin Dong Soo; Yoo Han Youl
来源:
Journal of the Korean Physical Society
, 2011, 58(4): 859-859.
出版日期
2011-4
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