氮化硅陶瓷及其与金属的接合技术

作者：刘征; 王腾飞; 张伟儒; 高陇桥

来源：真空电子技术, 2015, (04): 1-5.

DOI：10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2015.04.001

• 氮化硅陶瓷
• 陶瓷与金属接合
• 活性法封接工艺
• 气密性

本文叙述了氮化硅陶瓷的发展趋势,特别强调了改进制造工艺,有可能提高其热导率而成为高热导率陶瓷家族中的一员。文中系统地介绍了氮化硅陶瓷与金属的接合工艺。试验结果表明:用活性法工艺,在国内首次成功地完成高气密性(Q≤10-11 Pa·m/s)和高强度(σ拉=144 MPa)的Si3N4-Cu封接件。

• 出版日期2015
• 单位北京中材人工晶体研究院有限公司