Nafion复合铋膜修饰丝网印刷电极测定痕量镉离子

作者：唐立超; 唐美华; 石成成; 蔡清; 张东明; 张之翼; 王济奎; 陈国松

来源：现代化工, 2014, (08): 176-178.

DOI：10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2014.08.009

• 铋
• 镉
• 丝网印刷电极
• Nafion
• 方波溶出伏安法 bismuth
• cadmium
• screen-printed electrode
• nafion
• square wave stripping voltammeter

制备了Nafion修饰的丝网印刷电极,并用于同位镀铋膜法测定痕量重金属离子Cd2+。将Nafion溶液滴涂在丝网印刷电极表面制得修饰电极。在含Bi3+的0.1 mol/L醋酸缓冲溶液(pH为4.7)中,将Bi3+与Cd2+共同电沉积在修饰电极表面,再以方波阳极溶出伏安法(SWSV)检测Cd2+的浓度。优化了镀膜条件,考察了Nafion膜厚度及Bi3+浓度对溶出电流的影响。在优化的条件下,0~100μg/L质量浓度范围内Cd2+浓度与溶出峰电流呈现良好的线性关系,检出限为1μg/L,重现性良好,可用于大米中痕量重金属离子Cd2+的快速测定。

• 出版日期2014
• 单位南京工业大学