随着汽车技术的发展,低电压、大电流的MOSFET应用逐步增多。电机、LED大灯控制器等设备中功率开关器件能耗尤为突出,随之产生的热量使功率器件晶体发热、结温升高,热设计已经成为汽车电子设计比较重要的一部分。本文设计了汽车功率MOSFET功耗与PCB热阻计算的方法,并进行了理论论分析和实验验证,可以为国内汽车部件自主设计厂商提供数据的支持和方法的借鉴。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
