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A physics-based analytic solution to the MOSFET surface potential from accumulation to strong-inversion region (vol 53, pg 2008, 2006)
作者:He Jin
来源:
IEEE Transactions on Electron Devices
, 2007, 54(2): 372-372.
DOI:10.1109/TED.2006.890468
出版日期
2007-2
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