不同污秽度下零值绝缘子串温度场仿真研究

作者:杨富淇; 张志劲; 郑凯; 张行; 李卓君
来源:电工技术, 2023, (09): 150-153.
DOI:10.19768/j.cnki.dgjs.2023.09.044

摘要

为研究含零值绝缘子串的温升分布特性,以双伞型瓷质绝缘子为研究对象,建立电-热-流多物理场耦合模型,分析不同污秽度、零值绝缘子位置、温度对绝缘子串温度分布的影响。仿真结果表明,正常绝缘子串的温升变化范围较小,含零值绝缘子串的温升变化范围相对较大,零值绝缘子的温度与其余正常绝缘子相比较低;清洁和干燥污秽条件下零值绝缘子串的温升较小,饱和湿润污秽条件下零值绝缘子串的温升较大,且污秽度越大,零值绝缘子的温度与其余正常绝缘子的差值越大;零值绝缘子位于绝缘子串两端时,与相邻绝缘子温度差较大,位于中间时与相邻绝缘子的温度差较小,随着污秽度的增加,零值绝缘子与相邻绝缘子的温度差有所增大。

  • 出版日期2023
  • 单位重庆大学; 国网重庆市电力公司

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