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Anneal induced transforms of radiation defects in heavily electron irradiated Si diodes
作者:Rumbauskas V; Meskauskaite D; Ceponis T; Gaubas E
来源:
Journal of Instrumentation
, 2016, 11(09): P09004.
DOI:10.1088/1748-0221/11/09/P09004
出版日期
2016-9
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