不同薄膜材料上铝诱导多晶硅薄膜的研究

作者：唐正霞; 沈鸿烈; 江丰

来源：金陵科技学院学报, 2012, (03): 38-41.

DOI：10.16515/j.cnki.32-1722/n.2012.03.003

• 薄膜
• 多晶硅
• 铝诱导晶化 thin films
• polycrystalline silicon
• aluminum-induced crystallization

先在玻璃衬底上制备Mo、掺锡氧化铟(ITO)和掺铝氧化锌(AZO)导电电极材料,然后分别以普通玻璃、玻璃/Mo、玻璃/ITO和玻璃/AZO为衬底,沉积a-Si/SiO2/Al叠层膜,于450°C退火2h。XRD测试表明,4种衬底上非晶硅均可以被诱导生成多晶硅薄膜,因此Mo、ITO和AZO均可以作为铝诱导多晶硅器件的电极材料。

• 出版日期2012
• 单位南京航空航天大学; 金陵科技学院