研究Ag包套Bi222319芯带材在垂直场和平行场以及30K温度下的临界电流密度、磁化强度和磁滞损耗；利用临界态模型给出了临界电流密度、磁化强度和磁滞损耗在磁场大于穿透场时的解析表达式，并与实验结果进行了比较。
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