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摘要
在室温下７５０ＭｅＶ氩离子对本征单晶硅进行辐照，通过用正电子湮没寿命测量技术、电子顺磁共振技术以及红外光吸收方法研究了辐照产生的缺陷．结果表明：电中性双空位是辐照产生的主要空位团；在４．３×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２的高剂量下未见样品发生非晶化转变；虽然在离子射程末端双空位的浓度随剂量的增加而显著增大，但在以电离激发过程为主要能损方式的区域里双空位的浓度基本不变．据此可以认为，电子能损过程对辐照产生的缺陷有退人作用．
- 出版日期1999
- 单位中国科学院近代物理研究所
在室温下７５０ＭｅＶ氩离子对本征单晶硅进行辐照，通过用正电子湮没寿命测量技术、电子顺磁共振技术以及红外光吸收方法研究了辐照产生的缺陷．结果表明：电中性双空位是辐照产生的主要空位团；在４．３×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２的高剂量下未见样品发生非晶化转变；虽然在离子射程末端双空位的浓度随剂量的增加而显著增大，但在以电离激发过程为主要能损方式的区域里双空位的浓度基本不变．据此可以认为，电子能损过程对辐照产生的缺陷有退人作用．
