SOCl_2和CF_4在光纤MCVD过程中脱氢反应的平衡计算

作者：严一民郭祝昆张英华

来源：应用科学学报, 1988, (03): 255-259.

• 脱氢反应
• CF_4
• MCVD
• SOCl_2
• 多相平衡
• 平衡计算
• 脱氢作用
• SOCI
• 饱和蒸汽压
• 氧化反应

计算了O_2-H_2O-CH_4-SOCl_2-SiO_2和O_2-H_2O-CH_4-CF_4-SiO_2系统与CVDSiO_2光纤有关组成的多相平衡,给出在1073～2573K温度下沉积SiO_2内的平衡羟基浓度并讨论了SOCl_2与CF_4添加剂在MCVD过程中的脱氢作用.

• 出版日期1988
• 单位中国科学院上海硅酸盐研究所