Ag/Ag_2O/Pt非易失存储的双极性电阻转变

作者：董春颖; 孙光兰; 陈伟; 侯登录

来源：河北师范大学学报(自然科学版), 2015, (06): 490-494.

DOI：10.13763/j.cnki.jhebnu.nse.2015.06.006

• 阻变存储器
• Ag2O薄膜
• 电致电阻
• 氧化还原反应 resistive random access memory
• Ag2O film
• electrical resistance switching
• redox reaction

采用脉冲激光沉积系统制备了Ag/Ag2O/Pt器件并对其电致电阻特性进行了研究.结果表明,所制备的器件在电场触发下具有较好的高低电阻转变特性,器件具有较好的抗疲劳性和温度、时间稳定性.微区XPS测试证明样品电致电阻效应的内在机制是Ag2O的氧化还原反应.

• 出版日期2015
• 单位北华航天工业学院; 河北师范大学