具有高充放电容量的锗酸锰纳米片的制备方法及其应用

作者：瞿鹏; 魏伟; 徐建龙; 张旭; 宋益荣; 刘臻; 徐茂田

来源：2018-02-25, 中国, ZL201810190070.6.

本发明提供一种具有高充放电容量的锗酸锰纳米片的制备方法及其应用。该具有高充放电容量的锗酸锰纳米片的制备方法,包括如下步骤：1)将Mn(Ac)2水溶液逐滴加入含有NN-二异丙基碳二亚胺的GeO2水溶液中,混合搅拌均匀,得混合液；2)将清洗干净的泡沫铜放入到步骤1)中所述混合液中,然后转入到反应釜中,在恒温下保温若干小时后,待反应完成结束后即可得到生长在泡沫铜上的锗酸锰纳米片。本发明制备的锗酸锰纳米片的厚度为10nm左右,且该锗酸锰纳米片作为锂离子电池的负极材料使用,在30mAg-1的电流密度下,锗酸锰纳米片电极的首次充放电容量分别为2016mAhg-1和2651mAhg-1以上。

• 出版日期2018-2-25
• 单位商丘师范学院