垂直结构的复合晶型金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法

作者：陈荣盛; 尹雪梅; 李国元; 邓孙斌; 郭海成

来源：2019-10-15, 中国, CN201910975945.8.

本发明公开了一种垂直结构的复合晶型金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法,该晶体管包括衬底、源极、间隔层、漏极、有源层、双层栅介质层、栅极及测试电极；源极设置于衬底表面；间隔层设置于源极及衬底表面；漏极设置于间隔层表面；有源层设置于漏极及源极表面；双层栅介质层设置于漏极、有源层及源极表面；栅极设置于双层栅介质层表面,且栅极比有源层在衬底上的投影范围小；测试电极设置于源极及漏极表面,且与双层栅介质层均有接触；栅极、源极及漏极在有源层的投影范围均有交叠；有源层是具有复合晶型的无机金属氧化物。该晶体管具有较低的关态电流及栅泄漏电流。该发明广泛应用于半导体技术领域。

• 出版日期2019-10-15
• 单位华南理工大学