本发明提供抑制SRH非辐射复合的微米正装LED器件及其制备方法和应用,通过在微尺寸器件上制备微米孔阵列,并注入N型材料,其作用是在P型半导体材料传输层边缘形成一圈高阻区,从而限制电流向器件边缘的侧壁缺陷较多的区域扩展。而载流子向边缘扩散时,由于刻蚀缺陷的存在会引起SRH复合,因此可以从根本上降低载流子发生SRH复合,提高外量子效率。
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