电沉积CuS镀液的电化学性能及镀膜相组成

作者：石璐丹; 刘科高; 张力; 高稳成

来源：表面技术, 2014, (04): 92-96.

DOI：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2014.04.002

• 电沉积
• CuS薄膜
• 镀液性能 electrodeposition
• CuS thin films
• performance of plating solution

目的获得结晶好、连续均匀的CuS薄膜。方法采用电沉积方法制备CuS薄膜,研究络合剂、硫源及铜硫离子比例对镀液电化学性能的影响,分析不同沉积电位下所得薄膜的相组成。结果柠檬酸钠的络合效果最好,EDTA最差;硫代硫酸钠作为硫源时,其还原电位较硫脲为硫源时正,氧化电位较负,水平距离值较小,更容易实现共沉积;铜硫离子比例为1时,施镀最合适。沉积电位为-0.8 V时,薄膜的XRD图谱中有氧化亚铜的衍射峰;当沉积电位在-0.9 V时,生成了Cu2S相;沉积电位在-0.9~-1.2V时,生成了目标产物CuS,并且-1.2 V时的衍射峰强度比较高,结晶良好。结论最佳沉积条件如下:柠檬酸钠为络合剂,硫代硫酸钠为...

• 出版日期2014
• 单位山东建筑大学