Ag掺杂PZN-PZT微观结构及电学性能影响

作者：张正杰; 侯育冬; 崔长春; 王超; 朱满康

来源：压电与声光, 2011, (01): 119-122.

• PZN-PZT陶瓷
• 复合材料
• 电畴
• 微观结构
• 压电性能 PZN-PZT ceramic
• composite
• ferroelectric domain
• microstructure
• piezoelectric property

采用常规陶瓷工艺制备了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(0.2PZN-0.8PZT)三元系陶瓷,系统研究了Ag掺杂对体系微观结构及电学性能的影响。结果表明,Ag在钙钛矿中的溶解限约为0.1%(质量分数)。低于溶解限,Ag以离子掺杂形式进入钙钛矿晶格置换A位的Pb2+,以受主掺杂机制影响体系电学性能;高于溶解限,过量的Ag以单质形式沉积在晶界,弥散分布在0.2PZN-0.8PZT相中。Ag单质使陶瓷体系形成复相结构,在烧结降温阶段产生内应力,改变了材料的电畴结构,并影响陶瓷的直流电阻率和压电性能。

• 出版日期2011
• 单位北京工业大学