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Advanced 4H-SiC p-i-n Diode as Highly Sensitive High-Temperature Sensor Up To 460 degrees C

作者：Matthus Christian David; Erlbacher Tobias; Hess Andreas; Bauer Anton J; Frey Lothar
来源：IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(8): 3399-3404.
DOI：10.1109/TED.2017.2711271
  • 出版日期2017-8

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更新时间：2021-01-22 02:20