高水平抗辐射CMOS/SOS集成电路

作者：刘忠立和致经茅冬生

来源：微电子学, 1988, (06): 79-81.

• CMOS/SOS电路
• 总剂量辐射
• 瞬态辐射
• 辐射加固 CMOS/SOS circuit
• Total dose radiation
• Transient dose rate radiation
• Radiation hardness

本工作采用先进的全离子注入低温工艺,研制成八个高水平4000系列小规模CMOS/SOS集成电路品种,它们是SC_(4001)、SC_(4002)、SC_(4011)、SC_(4012)、SC_(4013)、SC_(4030)、SC_(4066)及SC_(4069)。这些电路除了电学参数满足相应体硅CMOS电路以外,还具有优良的抗辐照特性,其抗γ总剂量达1×10~7rad(Si),抗γ瞬态剂量率达5×10~(10)rad(Si)/s以上。 本文简要介绍CMOS/SOS器件抗γ总剂量辐照及抗γ瞬态辐照的基本考虑以及辐照实验的结果。

• 出版日期1988
• 单位中国科学院半导体研究所