AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系

作者：李诚瞻; 刘键; 刘新宇; 薛丽君; 陈晓娟; 和致经

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (06): 1055-1058.

• AlN插入层
• HEMTs
• 电流崩塌效应
• 热电子 AlN insert layer
• HEMTs
• current collapse effect
• hot electron

比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应.

• 出版日期2006
• 单位中国科学院微电子研究所