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摘要
利用质量分离的低能离子束技术 ,获得了Fe组分渐变的Fe Si薄膜。利用俄歇电子能谱法 (AES)、X射线衍射法 (XRD)以及X射线光电子能谱法 (XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明 ,在室温下制备的Fe Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在 40 0℃下退火 2 0min后晶化 ,没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。
- 出版日期2004
- 单位中国科学院力学研究所; 中国科学院半导体研究所
利用质量分离的低能离子束技术 ,获得了Fe组分渐变的Fe Si薄膜。利用俄歇电子能谱法 (AES)、X射线衍射法 (XRD)以及X射线光电子能谱法 (XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明 ,在室温下制备的Fe Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在 40 0℃下退火 2 0min后晶化 ,没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。
