KDP/DKDP晶体生长的研究进展

作者：王波; 房昌水; 王圣来; 孙洵; 顾庆天; 许心光; 李义平; 刘冰; 牟晓明

来源：人工晶体学报, 2007, (02): 247-252.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.02.001

• KDP/DKDP晶体
• 惯性约束核聚变
• 溶液晶体生长
• 传统降温法
• “点籽晶”快速生长法 KDP/DKDP crystal
• inertial confinement fusion(ICF)
• crystal growth from solution
• traditional temperature-reduction method
• "point-seed"rapid growth method

采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。

• 出版日期2007
• 单位晶体材料国家重点实验室; 山东大学