针对现有双向TVS的不足及广泛的市场需求,采用集成器件结构和先进工艺研制了一款双向击穿电压7 V,电源Vcc对地GND的电容0.8 pF的超低电容TVS器件。该器件实质是普通二极管和稳压管的串并联电路,反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10Ω以内。芯片尺寸控制在220μm×220μm以内,适合DFN1006、DFN0603等小型封装。利用此特性,该双向超低电容TVS器件适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失。
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