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摘要
本文报道了用Pd栅MOS器件检测低浓度H_2S气体的实验结果。指出Pd栅MOS器件对浓度<10ppm的H_2S气体是灵敏的。其灵敏度随Pd栅MOS器件的工作温度升高而升高。在150℃时,器件对空气中含3ppm H_2S有较大的响应值,其MOS电容平带电压V_(FB)变化量达几百毫伏。对氮气中的H_2S气体也有响应,但灵敏度较低。器件对H_2S气响应时间较快,但恢复很慢,影响器件重复使用。然而,将器件放在流动空气中,短时间后即可恢复。指出Pd—MOS器件接触H_2S气体有中毒现象,但空气中的O_2对解毒过程起了重要作用。
- 出版日期1987
- 单位中国科学院半导体研究所
