分子束外延高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构

作者：梁基本孔梅影孙殿照曾一平黄运衡

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1988, (02): 213-216.

• 分子束外延
• GaAs-AlGaAs
• 量子阱结构 Molecular beam epitaxy
• GaAs-AlGaAs
• Quantum well structure

利用国产分子束外延设备研制出高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构材料.经光荧光测量分析,其n=1的电子-重空穴自由激子复合发光的谱线很窄,半峰宽仅1.2MeV(阱宽141A,温度10.5K),表明量子阱阱宽和异质结界面平整度的起伏小于一个单原于层.样品从低温到室温都能保持激子发光特性.

• 出版日期1988
• 单位中国科学院半导体研究所