Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性

作者：桂永胜郑国珍褚君浩郭少令汤定元蔡毅

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1997, (09): 667-673.

• 表面积累层
• Hg
• x)Cd_xTe
• 输运特性
• 电子浓度
• 子带
• 二维电子气
• 化合物半导体
• 表面势
• 反型层

利用WKB近似对Hg1-xCdTe探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子带的电子浓度、能级位置和有效质量．考虑了能带的非抛物性，由SdH振荡获得的结果与理论符合的很好．

• 出版日期1997
• 单位中国科学院上海技术物理研究所