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摘要
本发明公开了一种梳齿状场板的GaN基射频器件及其制备方法。所述器件从下至上包括衬底、过渡层、氮化物缓冲层和GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层；氮化物缓冲层上表面从一端到另一端顺次设置源极金属电极和漏极金属电极；AlGaN势垒层上表面中部设置栅极金属电极,其余位置覆盖有钝化层；钝化层上设置有梳齿状场板,梳齿状场板朝向漏极金属电极延伸,在靠近漏极金属电极端的梳齿状栅极场板上设置有图形化开口。本发明通过图形化的场板结构,相较于传统的场板结构,其结构优化了沟道电场分布,优化传统场板产生电场的强度大小以及均匀性,可有效改善传统场板技术的GaN基HEMT器件的击穿电压和频率特性。
- 出版日期2023-3-24
- 单位华南理工大学
