基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法

作者：王斌; 张悦; 曾斌; 赵妍; 李心贺; 吴春艳

来源：2020-03-09, 中国, ZL202010156792.7.

本发明公开了基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法,是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si微米孔阵列,再通过磁控溅射在Si孔阵列的上方沉积CuO薄膜,构建Si微米孔/CuO垂直结构异质结,然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极,即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材,利用磁控直流反应溅射,一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备,探测器性能优越、制备过程简单易行,与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。

• 出版日期2020-3-9
• 单位合肥工业大学