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摘要
以偏钒酸铵为前驱体,采用水热法合成了纯净的单晶NH4V4O10纳米带,同时在水热合成过程中添加氧化石墨烯对其进行了掺杂改性研究。通过XRD、TEM、HRTEM和循环伏安法等测试手段对产物的结构和电化学性能进行了表征和测试。研究发现,生长溶液的p H值决定着NH4V4O10纳米晶体的结构与形貌。由于氧化石墨烯在水热条件下被还原,相对于未添加氧化石墨烯的NH4V4O10纳米带,添加氧化石墨烯掺杂改性的NH4V4O10纳米带的导电能力显著提高。很明显,采用氧化石墨烯掺杂的方法有利于改善NH4V4O10纳米带的电化学性能。
- 出版日期2015
- 单位重庆交通大学
