一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法

作者：揭建胜; 王莉; 于永强; 吴春艳; 彭强; 卢敏; 任勇斌

来源：2013-01-09, 中国, ZL201110048502.8.

一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法,是在水平管式炉中进行化学气相沉积方法,在1000-1100℃蒸发IIB-VIB族材料,在保温过程中引入硅烷,或同时引入III族或V族气态掺杂元素,由于硅与IIB-VIB族材料互溶性小,其通常生长在IIB-VIB族纳米结构的表面,形成IIB-VIB(核)-Si(壳)结构。而掺杂元素的引入使得Si(壳)与IIB-VIB(核)具有互补的掺杂类型,构成高质量纳米p-n结,即可一步法实现Si/IIB-VIB纳米p-n结的生长。另一方面,由于Si作为外包裹材料的径向生长限制作用,内核IIB-VIB纳米线的直径可以限制在10纳米以内,所以这种方法也可作为生长具有量子效应的小尺寸IIB-VIB纳米结构的方法。

• 出版日期2013-1-9
• 单位合肥工业大学