大尺寸四硼酸锂压电晶体转向生长

作者：徐家跃; 李欣; 陆宝亮; 申慧; 侍敏莉; 张爱琼

来源：硅酸盐学报, 2016, 44(10): 1435-1439.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2016.10.07

• 四硼酸锂晶体
• 坩埚下降法
• 大尺寸晶体生长
• 转向晶体生长

四硼酸锂(Li2B4O7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76 mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102 mm的LBO晶体产业化还有很大难度。本工作根据坩埚下降法技术特点,提出了转向生长LBO晶体的工艺方案,成功生长出60 mm×110 mm×120 mm板状晶体。晶体沿[001]方向快速生长,侧面主面为(110)。生长的板状晶体经准确定向、加工后即可获得高度60 mm、直径为102 mm(4 in)的[110]取向LBO晶体,生长速率和晶体产率较传统方法都有显著提高。

• 出版日期2016
• 单位中国科学院上海硅酸盐研究所; 上海应用技术大学