吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器

作者：朱会丽; 陈厦平; 吴正云

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(02): 284-288.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.02.028

• 4H-SiC
• 紫外光
• 雪崩光电探测器

设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiplejunctionter mination extension(MJTE)方法减少器件的电流集边效应和器件表面电场.对器件的暗电流、光电流和光谱响应进行了测量.器件在55V的低击穿电压下获得了一个高的增益(>104);穿通前器件暗电流约为10pA数量级;0V偏压下器件光谱响应的紫外可见比大于103.光谱响应的峰值波长随反向偏压的增大而向短波方向移动,在击穿电压附近光谱响应的峰值波长移到210nm,此波长远远小于在0V时的响应峰值.结果显示器件在紫外光探测中具有优良的性能.

• 出版日期2007-2-15
• 单位厦门大学