基于密度泛函理论的第一性原理方法,我们研究了Ag_4团簇和纳米线结构吸附在Si(001)表面的晶格结构和结构体系的稳定性。首先研究了单个Ag原子吸附在Si(001)表面的三个活性吸附位P、M、T,在此基础上,我们进一步研究了Ag_4团簇和纳米线在Si(001)-2×4表面吸附的五种结构。对于纳米线性结构,P吸附位的数目会影响吸附结构的稳定性,处于P吸附位的Ag原子数目越多,结构稳定性越强;而Ag_4团簇结构的吸附比纳米线结构更稳定。
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