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摘要
本发明公开了一种基于多浮空场板与阴极场板复合结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件,主要解决现有技术击穿电压较低,可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)和势垒层(5),该势垒层(5)上方设有阳极(6)和阴极(7),该阳极(6)与阴极(7)之间为钝化层(8),该钝化层上淀积有n个浮空场板(9)和一个阴极场板(10),用于降低阳极与阴极下方边缘电场峰值,提高击穿电压n≥1,本发明具有工艺简单、成品率高和可靠性好的优点,可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
- 出版日期2019-9-6
- 单位西安电子科技大学
