摘要

报道了用15wt%H2 SO4 为电解液,在恒温0℃,4 0V电压条件下制备阳极氧化铝膜,用原子力显微镜观察其形貌,表明在简单条件下在石英衬底上制备了致密的氧化铝微晶膜。研究了不同电压条件下制备的氧化铝膜的常温光致发光,并监测了其激发光谱,发现其常温光致发光相对强度和发射峰位置与阳极氧化电压关系密切,有相对强度变小和发射峰位置红移的趋势,在4 0V电压条件下出现了35 6nm新的发射峰,而其不同的发射峰激发光谱都为2 10nm ,说明其来源存在关联。详细分析了4 0V电压下的阳极氧化铝膜中出现的35 6 ,386nm近紫外发射,并认为其发光来源于与F心和F+ 心有关的氧缺陷。