不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究

作者：叶振华; 胡晓宁; 张海燕; 廖清君; 李言谨; 何力

来源：红外与毫米波学报, 2004, (02): 86-90.

• 光伏探测器
• HgCdTe
• 暗电流
• R0A
• 异质结 photodiode
• HgCdTe
• dard current
• R 0A
• heterojunction.

对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) .通过与实验数据拟合 ,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R0 A和在不同偏压下的暗电流 ,得到一些相关的材料和器件性能参数

• 出版日期2004
• 单位中国科学院上海技术物理研究所